可擦除可编程只读存储器（英语：Erasable Programmable Read Only Memory），由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机存储芯片——即非易失性的（非易失性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。

一片编程后的EPROM，可以保持其数据大约10～20年，并能无限次读取。擦除窗口必须保持覆盖，以防偶然被阳光擦除。老式计算机的BIOS芯片，一般是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS发行商名称、版本和版权声明的标签所覆盖。

一些在闪存出现前生产的微控制器，具有使用EPROM来存储程序的版本，以利于程序开发；因为，如使用一次性可编程器件，在调试时将造成严重浪费。

Ein EPROM (engl. Abk. für erasable programmable read-only memory, wörtlich: löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher) ist ein nichtflüchtiger elektronischer Speicherbaustein, der bis etwa in die Mitte der 1990er-Jahre vor allem in der Computertechnik eingesetzt wurde, inzwischen aber weitgehend durch EEPROMs abgelöst ist.

Dieser Bausteintyp ist mit Hilfe spezieller Programmiergeräte (genannt „EPROM-Brenner“) programmierbar. Er lässt sich mittels UV-Licht löschen und danach neu programmieren. Nach etwa 100 bis 200 Löschvorgängen hat das EPROM das Ende seiner Lebensdauer erreicht. Das zur Löschung nötige Quarzglas-Fenster (normales Glas ist nicht UV-durchlässig) macht das Gehäuse relativ teuer. Daher gibt es auch Bauformen ohne Fenster, die nominal nur einmal beschreibbar sind (One Time Programmable, OTP), sich durch Röntgenstrahlung aber ebenfalls löschen lassen.

Das EPROM wurde 1970 bei Intel von Dov Frohman entwickelt.

An EPROM (rarely EROM), or erasable programmable read-only memory, is a type of memory chip that retains its data when its power supply is switched off. Computer memory that can retrieve stored data after a power supply has been turned off and back on is called non-volatile. It is an array of floating-gate transistors individually programmed by an electronic device that supplies higher voltages than those normally used in digital circuits. Once programmed, an EPROM can be erased by exposing it to strong ultraviolet light source (such as from a mercury-vapor light). EPROMs are easily recognizable by the transparent fused quartz window in the top of the package, through which the silicon chip is visible, and which permits exposure to ultraviolet light during erasing. 

La mémoire EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) est un type de mémoire morte reprogrammable.  La mémoire EPROM peut être lue par l'électronique de l'équipement sur lequel elle est utilisée. Par contre, elle ne peut pas être facilement ré-écrite. L'écriture est un processus relativement lent qui dépendra du modèle (exemples : 1 minute pour 2 Mbit pour un modèle moderne - M27C160 - mais jusqu'à 3 minutes pour un modèle plus ancien de seulement 32 Kbit - F2732 -) et nécessitant l'application de tensions électriques plus élevées et rarement gérées directement par la carte mémoire. Il est possible d'écrire la totalité de l'EPROM ou indépendamment certaines adresses mémoires mais il faut pour cela retirer l'EPROM de son support et la placer dans un appareil dédié à cet effet.

In elettronica digitale, la EPROM, acronimo di Erasable Programmable Read Only Memory, ovvero memoria di sola lettura programmabile e cancellabile, è una memoria informatica di sola lettura cancellabile tramite raggi ultravioletti. Si tratta di un'evoluzione della PROM che, una volta programmata, non può più essere in generale modificata. La EPROM invece può essere totalmente cancellata, per un numero limitato ma consistente di volte, e riprogrammata a piacimento.

L'invenzione della EPROM, avvenuta nel 1971, è dovuta ad un ingegnere israeliano, Dov Frohman, fuoriuscito dalla Fairchild Semiconductor per unirsi a Moore, Noyce e Grove, fondatori della società Intel, che a loro volta erano usciti dalla Fairchild l'anno prima.

Le memorie EPROM si basano sul transistor ad effetto di campo FAMOS (Floating-gate Avalanche Injection MOS), un tipo di Floating Gate MOSFET a canale p programmabile mediante breakdown a valanga.

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman de Intel.¹​ Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante",²​ cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas).